shallowtrenchisolation浅沟道隔离特点：能实现高密度的隔离，适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。一般在器件制作之前进行，热预算小。STI技术工艺步骤：首先，类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。其次，利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。然后，进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽。最后，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，需要回刻或者CMP